hh.sePublikasjoner
Endre søk
Begrens søket
123 101 - 103 of 103
RefereraExporteraLink til resultatlisten
Permanent link
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annet format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annet språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Treff pr side
  • 5
  • 10
  • 20
  • 50
  • 100
  • 250
Sortering
  • Standard (Relevans)
  • Forfatter A-Ø
  • Forfatter Ø-A
  • Tittel A-Ø
  • Tittel Ø-A
  • Type publikasjon A-Ø
  • Type publikasjon Ø-A
  • Eldste først
  • Nyeste først
  • Skapad (Eldste først)
  • Skapad (Nyeste først)
  • Senast uppdaterad (Eldste først)
  • Senast uppdaterad (Nyeste først)
  • Disputationsdatum (tidligste først)
  • Disputationsdatum (siste først)
  • Standard (Relevans)
  • Forfatter A-Ø
  • Forfatter Ø-A
  • Tittel A-Ø
  • Tittel Ø-A
  • Type publikasjon A-Ø
  • Type publikasjon Ø-A
  • Eldste først
  • Nyeste først
  • Skapad (Eldste først)
  • Skapad (Nyeste først)
  • Senast uppdaterad (Eldste først)
  • Senast uppdaterad (Nyeste først)
  • Disputationsdatum (tidligste først)
  • Disputationsdatum (siste først)
Merk
Maxantalet träffar du kan exportera från sökgränssnittet är 250. Vid större uttag använd dig av utsökningar.
  • 101.
    Willander, Magnus
    et al.
    Linköping University, Linköping, Sweden.
    Pettersson, Håkan
    Högskolan i Halmstad, Akademin för informationsteknologi, Halmstad Embedded and Intelligent Systems Research (EIS), Tillämpad matematik och fysik (MPE-lab).
    Preface2017Inngår i: International Journal of High Speed Electronics and Systems, ISSN 0129-1564, Vol. 26, nr 1-2, artikkel-id 1702001Artikkel i tidsskrift (Fagfellevurdert)
  • 102.
    Willander, Magnus
    et al.
    Linköping University, Linköping, Sweden.
    Pettersson, HåkanHögskolan i Halmstad, Akademin för informationsteknologi, Halmstad Embedded and Intelligent Systems Research (EIS), Tillämpad matematik och fysik (MPE-lab).
    Special Issue on Scaling and Integration of High Speed Electronics and Optomechanical Systems2017Konferanseproceedings (Fagfellevurdert)
  • 103.
    Wu, Phillip M.
    et al.
    Division of Solid State Physics and the Nanometer Structure Consortium (NmC at LU), Lund University, P.O. Box 118, 221 00 Lund, Sweden.
    Paschoal Jr., Waldomiro
    Högskolan i Halmstad, Akademin för informationsteknologi, Halmstad Embedded and Intelligent Systems Research (EIS).
    Kumar, Sandeep
    Division of Solid State Physics and the Nanometer Structure Consortium (NmC at LU), Lund University, P.O. Box 118, 221 00 Lund, Sweden.
    Borschel, Christian
    Institute for Solid State Physics, Jena University, Max-Wien-Platz 1, 07743 Jena, Germany.
    Ronning, Carsten
    Institute for Solid State Physics, Jena University, Max-Wien-Platz 1, 07743 Jena, Germany.
    Canali, Carlo M.
    Division of Physics, School of Computer Science, Linnæus University, 39233 Kalmar, Sweden.
    Samuelson, Lars
    Division of Solid State Physics and the Nanometer Structure Consortium (NmC at LU), Lund University, P.O. Box 118, 221 00 Lund, Sweden.
    Pettersson, Håkan
    Högskolan i Halmstad, Akademin för informationsteknologi, Halmstad Embedded and Intelligent Systems Research (EIS).
    Linke, Heiner
    Division of Solid State Physics and the Nanometer Structure Consortium (NmC at LU), Lund University, P.O. Box 118, 221 00 Lund, Sweden.
    Thermoelectric Characterization of Electronic Properties of GaMnAs Nanowires2012Inngår i: Journal of Nanotechnology, ISSN 1687-9503, E-ISSN 1687-9511, Vol. 2012, artikkel-id 480813Artikkel i tidsskrift (Fagfellevurdert)
    Abstract [en]

    Nanowires with magnetic doping centers are an exciting candidate for the study of spin physics and proof-of-principle spintronics devices. The required heavy doping can be expected to have a significant impact on the nanowires' electron transport properties. Here, we use thermopower and conductance measurements for transport characterization of Ga 0.95Mn 0.05As nanowires over a broad temperature range. We determine the carrier type (holes) and concentration and find a sharp increase of the thermopower below temperatures of 120 K that can be qualitatively described by a hopping conduction model. However, the unusually large thermopower suggests that additional mechanisms must be considered as well. © 2012 Phillip M. Wu et al.

123 101 - 103 of 103
RefereraExporteraLink til resultatlisten
Permanent link
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annet format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annet språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf