hh.sePublikasjoner
Endre søk
Begrens søket
1 - 2 of 2
RefereraExporteraLink til resultatlisten
Permanent link
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annet format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annet språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Treff pr side
  • 5
  • 10
  • 20
  • 50
  • 100
  • 250
Sortering
  • Standard (Relevans)
  • Forfatter A-Ø
  • Forfatter Ø-A
  • Tittel A-Ø
  • Tittel Ø-A
  • Type publikasjon A-Ø
  • Type publikasjon Ø-A
  • Eldste først
  • Nyeste først
  • Skapad (Eldste først)
  • Skapad (Nyeste først)
  • Senast uppdaterad (Eldste først)
  • Senast uppdaterad (Nyeste først)
  • Disputationsdatum (tidligste først)
  • Disputationsdatum (siste først)
  • Standard (Relevans)
  • Forfatter A-Ø
  • Forfatter Ø-A
  • Tittel A-Ø
  • Tittel Ø-A
  • Type publikasjon A-Ø
  • Type publikasjon Ø-A
  • Eldste først
  • Nyeste først
  • Skapad (Eldste først)
  • Skapad (Nyeste først)
  • Senast uppdaterad (Eldste først)
  • Senast uppdaterad (Nyeste først)
  • Disputationsdatum (tidligste først)
  • Disputationsdatum (siste først)
Merk
Maxantalet träffar du kan exportera från sökgränssnittet är 250. Vid större uttag använd dig av utsökningar.
  • 1.
    Conache, Gabriela
    et al.
    Högskolan i Halmstad, Sektionen för Informationsvetenskap, Data– och Elektroteknik (IDE), Halmstad Embedded and Intelligent Systems Research (EIS), Tillämpad matematik och fysik (MPE-lab).
    Ribayrol, Aline
    Avd. f. Fasta Tillståndets Fysik, Lunds Universitet, Sweden.
    Fröberg, Linus
    Avd. f. Fasta Tillståndets Fysik, Lunds Universitet, Sweden.
    Borgström, Magnus T.
    Avd. f. Fasta Tillståndets Fysik, Lunds Universitet, Sweden.
    Samuelson, Lars
    Avd. f. Fasta Tillståndets Fysik, Lunds Universitet, Sweden.
    Montelius, Lars
    Avd. f. Fasta Tillståndets Fysik, Lunds Universitet, Sweden.
    Pettersson, Håkan
    Högskolan i Halmstad, Sektionen för Informationsvetenskap, Data– och Elektroteknik (IDE), Halmstad Embedded and Intelligent Systems Research (EIS), Tillämpad matematik och fysik (MPE-lab).
    Gray, Struan M.
    Avd. f. Fasta Tillståndets Fysik, Lunds Universitet, Sweden.
    Bias-controlled friction of InAs nanowires on a silicon nitride layer studied by atomic force microscopy2010Inngår i: Physical Review B Condensed Matter, ISSN 0163-1829, E-ISSN 1095-3795, Vol. 82, nr 3Artikkel i tidsskrift (Fagfellevurdert)
    Abstract [en]

    By studying how nanowires lying on a surface bend when pushed by an atomic force microscopy tip we are able to measure the friction between them and the substrate. Here, we show how the friction between InAs nanowires and an insulating silicon nitride layer varies when a dc voltage is applied to the tip during manipulation. The bias charges the capacitor formed by the wire and the grounded silicon back contact. Electrostatic forces increase the contact pressure and allow us to tune the friction between the wire and the silicon nitride surface. Using nanowires of about 40-70 nm diameter and a few microns in length we have applied biases in the range +12 to -12 V. A monotonic increase of the sliding friction with voltage was observed. This increase in friction with the normal force implies that the mesoscopic nanowire-surface system behaves like a macroscopic contact, despite the nanometer size of the contact in the direction of motion. The demonstrated bias-controlled friction has potential applications in MEMS/NEMS devices.

  • 2.
    Löfwander, T.
    et al.
    Dept. Microlectron. and Nanoscience, Sch. of Phys. and Eng. Physics, Chalmers Univ. Technol. Goteborg U., S-412 96 Göteborg, Sweden.
    Johansson, G.
    Dept. Microlectron. and Nanoscience, Sch. of Phys. and Eng. Physics, Chalmers Univ. Technol. Goteborg U., S-412 96 Göteborg, Sweden.
    Hurd, M.
    Högskolan i Halmstad, Sektionen för ekonomi och teknik (SET).
    Wendin, G.
    Dept. Microlectron. and Nanoscience, Sch. of Phys. and Eng. Physics, Chalmers Univ. Technol. Goteborg U., S-412 96 Göteborg, Sweden.
    Superconducting d-wave junctions: The disappearance of the odd ac components1998Inngår i: Physical Review B Condensed Matter, ISSN 0163-1829, E-ISSN 1095-3795, Vol. 57, nr 6, s. R3225-R3228Artikkel i tidsskrift (Fagfellevurdert)
    Abstract [en]

    We study voltage-biased superconducting planar d-wave junctions for arbitrary transmission and arbitrary orientation of the order parameters of the superconductors. For a certain orientation of the superconductors the odd ac components disappear, resulting in a doubling of the Josephson frequency. We study the sensitivity of this disappearance to orientation and compare with experiments on grain boundary junctions. We also discuss the possibility of a current flow parallel to the junction.

    Fulltekst (pdf)
    fulltext
1 - 2 of 2
RefereraExporteraLink til resultatlisten
Permanent link
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annet format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annet språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf