hh.sePublikationer
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Electrical and Optical Characterization of InAsP/InP Nanowire-Based Avalanche Photodetectors
Högskolan i Halmstad, Akademin för ekonomi, teknik och naturvetenskap, Maskinteknisk produktframtagning (MTEK), Fotonik. (Nanophotonics)
Högskolan i Halmstad, Akademin för ekonomi, teknik och naturvetenskap, Maskinteknisk produktframtagning (MTEK), Fotonik. (Nanophotonics)
2016 (Engelska)Självständigt arbete på avancerad nivå (magisterexamen), 40 poäng / 60 hpStudentuppsats (Examensarbete)
Abstract [en]

The availability of new manufacturing methodology in solid state physics makes it possible to grow nano-photonic devices for better performance and unique properties. In this thesis work, we use I-V and FTIR spectroscopy to study the electrical and optical properties of InAsP/InP nanowire-based array avalanche photodetectors for near infrared applications. Measurements are performed at 300K and 5K for different applied biases under darkness and illumination conditions. I-V curves are plotted to understand the charge carrier transport in nanowire photodetectors and also to improve the device fabrication. I-V characteristics display non-optimal diode properties with large dark leakage currents. From spectrally resolved photocurrent measurements, peaks appear at photon energies of 1.34eV and 1.4eV respectively, corresponding to the bandgap of zinc blende (ZB) and wurtzite (WZ) InP. An additional photocurrent peak at 1.25eV agrees with the bandgap of the included InAsP segments. The Schottky-like contacts present at the top of the nanowires most likely generate additional photocurrent at higher photon energies. No breakdown effect is observed for the array devices. Complementary single-nanowire devices indicate an avalanche breakdown effect at  VR=-35V.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
2016. , s. 40
Nationell ämneskategori
Teknik och teknologier
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:hh:diva-30144OAI: oai:DiVA.org:hh-30144DiVA, id: diva2:892929
Ämne / kurs
Elektroteknik
Presentation
2015-06-09, 17:14 (Engelska)
Handledare
Examinatorer
Tillgänglig från: 2016-01-13 Skapad: 2016-01-11 Senast uppdaterad: 2016-01-13Bibliografiskt granskad

Open Access i DiVA

fulltext(999 kB)478 nedladdningar
Filinformation
Filnamn FULLTEXT01.pdfFilstorlek 999 kBChecksumma SHA-512
c89038d148891f852c921efcf7365ae4b5c53ee813fe9d43265d2057f88ae6990b703c924cbc96a756014772d9c624182f869c1bbc521675d751f0f88671ceb6
Typ fulltextMimetyp application/pdf

Av organisationen
Fotonik
Teknik och teknologier

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar
Totalt: 478 nedladdningar
Antalet nedladdningar är summan av nedladdningar för alla fulltexter. Det kan inkludera t.ex tidigare versioner som nu inte längre är tillgängliga.

urn-nbn

Altmetricpoäng

urn-nbn
Totalt: 749 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf