hh.sePublikationer
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Ferromagnetic single-electron transistors fabricated by atomic force microscopy
Högskolan i Halmstad, Akademin för informationsteknologi, Halmstad Embedded and Intelligent Systems Research (EIS), Tillämpad matematik och fysik (MPE-lab).
Högskolan i Halmstad, Akademin för informationsteknologi, Halmstad Embedded and Intelligent Systems Research (EIS), Tillämpad matematik och fysik (MPE-lab). (Nanovetenskap)ORCID-id: 0000-0001-5027-1456
Högskolan i Kalmar, Kalmar, Sweden.
Linné Universitetet, Kalmar, Sweden.
Visa övriga samt affilieringar
2006 (Engelska)Konferensbidrag, Muntlig presentation med publicerat abstract (Refereegranskat)
Abstract [en]

We report on the fabrication and magneto-transport measurements of Ni/Au/Ni ferromagnetic single-electron transistors (F-SETs), fabricated by atomic force microscopy. By positioning a single Au disc (30 nm in diameter) into the gap between the Ni drain and source electrodes (of width 220 nm and 80 nm, respectively) step-by-step with Angstrom precision, and using plasma-processed NiOx as tunneling barriers, we can successfully fabricate F-SETs of high quality and substantial stability. The characteristic time interval of the device between two successive tunneling events is 10ps. The absence of any clear features in the transport related to the applied external magnetic field indicates that no spin-accumulation is maintained in the central Au disc. This interesting result indicates that the spin-relaxation time inside the central island should be shorter than 10ps. Based on these findings, we will discuss possible mechanisms of spin-relaxation in metal nano-structures triggered by spin-orbit interaction.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
2006.
Nationell ämneskategori
Den kondenserade materiens fysik
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:hh:diva-22362OAI: oai:DiVA.org:hh-22362DiVA, id: diva2:623848
Konferens
APS, March Meeting, 2006, Baltimore, USA
Tillgänglig från: 2013-05-28 Skapad: 2013-05-28 Senast uppdaterad: 2018-04-03Bibliografiskt granskad

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Program

Personposter BETA

Liu, RuishengPettersson, Håkan

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Liu, RuishengPettersson, Håkan
Av organisationen
Tillämpad matematik och fysik (MPE-lab)
Den kondenserade materiens fysik

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

urn-nbn

Altmetricpoäng

urn-nbn
Totalt: 121 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf