hh.sePublikationer
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Comparative friction measurements of InAs nanowires on three substrates
Högskolan i Halmstad, Sektionen för Informationsvetenskap, Data– och Elektroteknik (IDE), Halmstad Embedded and Intelligent Systems Research (EIS), Tillämpad matematik och fysik (MPE-lab). (Nanovetenskap)
Avd. f. Fasta Tillståndets Fysik, Lunds Universitet, Sweden. (Nanometerkonsortiet)
Avd. f. Fasta Tillståndets Fysik, Lunds Universitet, Sweden. (Nanometerkonsortiet)
Avd. f. Fasta Tillståndets Fysik, Lunds Universitet, Sweden. (Nanometerkonsortiet)
Visa övriga samt affilieringar
2010 (Engelska)Ingår i: Journal of Applied Physics, ISSN 0021-8979, E-ISSN 1089-7550, Vol. 108, nr 9, s. 094307-094307-5Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

We have investigated friction between InAs nanowires and three different substrates: SiO2, fluorosilanized SiO2, and Si3N4. The nanowires were pushed laterally with the tip of an atomic force microscope and the friction force per unit length for both static and sliding friction was deduced from the equilibrium shape of the bent wires. On all three substrates, thick wires showed a difference between sliding and static friction of up to three orders of magnitude. Furthermore, all substrates display a transition to stick-slip motion for nanowires with a diameter of less than about 40 nm. Hydrophobic and hydrophilic substrates display similar friction behavior suggesting that a condensed water layer does not strongly influence our results. The patterns and trends in the friction data are similar for all three substrates, which indicates that they are more fundamental in character and not specific to a single substrate. ©2010 American Institute of Physics.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
College Park, MD: American Institute of Physics (AIP), 2010. Vol. 108, nr 9, s. 094307-094307-5
Nyckelord [en]
III-V semiconductors, atomic force microscopy, hydrophilicity, hydrophobicity, indium compounds, nanowires, semiconductor quantum wires, silicon compounds, sliding friction, stiction, substrates
Nationell ämneskategori
Den kondenserade materiens fysik
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:hh:diva-14198DOI: 10.1063/1.3503876ISI: 000284270900122Scopus ID: 2-s2.0-78649282435OAI: oai:DiVA.org:hh-14198DiVA, id: diva2:391334
Tillgänglig från: 2011-01-24 Skapad: 2011-01-24 Senast uppdaterad: 2018-04-03Bibliografiskt granskad

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltextScopus

Personposter BETA

Conache, GabrielaPettersson, Håkan

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Conache, GabrielaPettersson, Håkan
Av organisationen
Tillämpad matematik och fysik (MPE-lab)
I samma tidskrift
Journal of Applied Physics
Den kondenserade materiens fysik

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 199 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf