hh.sePublikationer
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Case study of an InAs quantum dot memory: Optical storing and deletion of charge
Högskolan i Halmstad, Akademin för informationsteknologi, Halmstad Embedded and Intelligent Systems Research (EIS).ORCID-id: 0000-0001-5027-1456
Högskolan i Halmstad, Akademin för ekonomi, teknik och naturvetenskap, Maskinteknisk produktframtagning (MTEK), Fotonik och mikrovågsteknik.ORCID-id: 0000-0002-4826-019X
Division of Solid State Physics, Lund University, Sweden.
Division of Solid State Physics, Lund University, Sweden.
Visa övriga samt affilieringar
2001 (Engelska)Ingår i: Applied Physics Letters, ISSN 0003-6951, E-ISSN 1077-3118, Vol. 79, nr 1, s. 78-80Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

We have studied self-assembled InAs quantum dots embedded in an InP matrix using photocapacitance and photocurrent spectroscopy. These dots are potentially promising for memories due to the large confinement energy for holes. In this work we have realized simple quantum dot memory by placing the dots in the space–charge region of a Schottky junction. Our measurements reveal that a maximum of about one hole can be stored per dot. We also find that illumination for an extended period deletes the stored charge. We show that these limitations do not reflect the intrinsic properties of the dots, but rather the sample structure in combination with deep traps present in the sample.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
New York: American Institute of Physics (AIP), 2001. Vol. 79, nr 1, s. 78-80
Nyckelord [en]
Electronics, Photocurrent spectroscopy, Quantum dots, Indium compounds, III-V semiconductors, Semiconductor quantum dots, Photocapacitance, Photoconductivity, Self-assembly, Space charge, Schottky barriers, Deep levels, Optical storage
Nationell ämneskategori
Den kondenserade materiens fysik
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:hh:diva-1840DOI: 10.1063/1.1382628ISI: 000169658800027Scopus ID: 2-s2.0-0035796722Lokalt ID: 2082/2235OAI: oai:DiVA.org:hh-1840DiVA, id: diva2:239058
Tillgänglig från: 2008-09-03 Skapad: 2008-09-03 Senast uppdaterad: 2020-05-20Bibliografiskt granskad

Open Access i DiVA

fulltext(94 kB)429 nedladdningar
Filinformation
Filnamn FULLTEXT01.pdfFilstorlek 94 kBChecksumma SHA-512
6bbfaccb7fa104d8be0ae38efb3753e905826248e665f8fac5a1b972ddd24bee534a9f23440bf2802b2c211f688391b51fb99d771d9a1fab4d39b71b2d149f28
Typ fulltextMimetyp application/pdf

Övriga länkar

Förlagets fulltextScopus

Person

Pettersson, HåkanBååth, Lars B.

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Pettersson, HåkanBååth, Lars B.
Av organisationen
Halmstad Embedded and Intelligent Systems Research (EIS)Fotonik och mikrovågsteknik
I samma tidskrift
Applied Physics Letters
Den kondenserade materiens fysik

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar
Totalt: 431 nedladdningar
Antalet nedladdningar är summan av nedladdningar för alla fulltexter. Det kan inkludera t.ex tidigare versioner som nu inte längre är tillgängliga.

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 401 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf