hh.sePublikasjoner
Endre søk
RefereraExporteraLink to record
Permanent link

Direct link
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annet format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annet språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Case study of an InAs quantum dot memory: Optical storing and deletion of charge
Högskolan i Halmstad, Akademin för informationsteknologi, Halmstad Embedded and Intelligent Systems Research (EIS).ORCID-id: 0000-0001-5027-1456
Högskolan i Halmstad, Akademin för ekonomi, teknik och naturvetenskap, Maskinteknisk produktframtagning (MTEK), Fotonik och mikrovågsteknik.ORCID-id: 0000-0002-4826-019X
Division of Solid State Physics, Lund University, Sweden.
Division of Solid State Physics, Lund University, Sweden.
Vise andre og tillknytning
2001 (engelsk)Inngår i: Applied Physics Letters, ISSN 0003-6951, E-ISSN 1077-3118, Vol. 79, nr 1, s. 78-80Artikkel i tidsskrift (Fagfellevurdert) Published
Abstract [en]

We have studied self-assembled InAs quantum dots embedded in an InP matrix using photocapacitance and photocurrent spectroscopy. These dots are potentially promising for memories due to the large confinement energy for holes. In this work we have realized simple quantum dot memory by placing the dots in the space–charge region of a Schottky junction. Our measurements reveal that a maximum of about one hole can be stored per dot. We also find that illumination for an extended period deletes the stored charge. We show that these limitations do not reflect the intrinsic properties of the dots, but rather the sample structure in combination with deep traps present in the sample.

sted, utgiver, år, opplag, sider
New York: American Institute of Physics (AIP), 2001. Vol. 79, nr 1, s. 78-80
Emneord [en]
Electronics, Photocurrent spectroscopy, Quantum dots, Indium compounds, III-V semiconductors, Semiconductor quantum dots, Photocapacitance, Photoconductivity, Self-assembly, Space charge, Schottky barriers, Deep levels, Optical storage
HSV kategori
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:hh:diva-1840DOI: 10.1063/1.1382628ISI: 000169658800027Scopus ID: 2-s2.0-0035796722Lokal ID: 2082/2235OAI: oai:DiVA.org:hh-1840DiVA, id: diva2:239058
Tilgjengelig fra: 2008-09-03 Laget: 2008-09-03 Sist oppdatert: 2018-04-03bibliografisk kontrollert

Open Access i DiVA

fulltext(94 kB)257 nedlastinger
Filinformasjon
Fil FULLTEXT01.pdfFilstørrelse 94 kBChecksum SHA-512
6bbfaccb7fa104d8be0ae38efb3753e905826248e665f8fac5a1b972ddd24bee534a9f23440bf2802b2c211f688391b51fb99d771d9a1fab4d39b71b2d149f28
Type fulltextMimetype application/pdf

Andre lenker

Forlagets fulltekstScopus

Personposter BETA

Pettersson, HåkanBååth, Lars B.

Søk i DiVA

Av forfatter/redaktør
Pettersson, HåkanBååth, Lars B.
Av organisasjonen
I samme tidsskrift
Applied Physics Letters

Søk utenfor DiVA

GoogleGoogle Scholar
Totalt: 257 nedlastinger
Antall nedlastinger er summen av alle nedlastinger av alle fulltekster. Det kan for eksempel være tidligere versjoner som er ikke lenger tilgjengelige

doi
urn-nbn

Altmetric

doi
urn-nbn
Totalt: 204 treff
RefereraExporteraLink to record
Permanent link

Direct link
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annet format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annet språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf