hh.sePublikationer
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
SWIR-LWIR Photoluminescence from Sb-based Epilayers Grown on GaAs Substrates by using MBE
Högskolan i Halmstad, Akademin för informationsteknologi, Halmstad Embedded and Intelligent Systems Research (EIS).
Högskolan i Halmstad, Akademin för informationsteknologi, Halmstad Embedded and Intelligent Systems Research (EIS), Tillämpad matematik och fysik (MPE-lab).
Acreo Swedish ICT AB, Kista, 16425, Sweden.
Acreo Swedish ICT AB, Kista, 16425, Sweden.
Visa övriga samt affilieringar
2018 (Engelska)Ingår i: Journal of the Korean Physical Society, ISSN 0374-4884, E-ISSN 1976-8524, Vol. 73, nr 11, s. 1604-1611Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

Utilizing Sb-based bulk epilayers on large-scale low-cost substrates such as GaAs for fabricating infrared (IR) photodetectors is presently attracting significant attention worldwide. For this study, three sample series of GaAsxSb1−x, In1−xGaxSb, and InAsxSb1−x with different compositions were grown on semi-insulating GaAs substrates by using molecular beam epitaxy (MBE) and appropriate InAs quantum dots (QDs) as a defect-reduction buffer layer. Photoluminescence (PL) signals from these samples were observed over a wide IR wavelength range from 2 ÎŒm to 12 ÎŒm in agreement with the expected bandgap, including bowing effects. In particular, interband PL signals from InAsxSb1−x and In1−xGaxSb samples even at room temperature show promising potential for IR photodetector applications. © 2018, The Author(s).

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
The Korean Physical Society , 2018. Vol. 73, nr 11, s. 1604-1611
Nyckelord [en]
IR detector, LWIR, MWIR, Sb-based thin films, SWIR
Nationell ämneskategori
Den kondenserade materiens fysik Atom- och molekylfysik och optik
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:hh:diva-38696DOI: 10.3938/jkps.73.1604Scopus ID: 2-s2.0-85058784548OAI: oai:DiVA.org:hh-38696DiVA, id: diva2:1276060
Tillgänglig från: 2019-01-07 Skapad: 2019-01-07 Senast uppdaterad: 2019-01-07Bibliografiskt granskad

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltextScopus

Personposter BETA

Hussain, LaiqPettersson, HåkanJafari, Mehrdad

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Hussain, LaiqPettersson, HåkanJafari, Mehrdad
Av organisationen
Halmstad Embedded and Intelligent Systems Research (EIS)Tillämpad matematik och fysik (MPE-lab)
I samma tidskrift
Journal of the Korean Physical Society
Den kondenserade materiens fysikAtom- och molekylfysik och optik

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 34 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf