hh.sePublikationer
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Thermoelectric Characterization of Electronic Properties of GaMnAs Nanowires
Division of Solid State Physics and the Nanometer Structure Consortium (NmC at LU), Lund University, P.O. Box 118, 221 00 Lund, Sweden.
Högskolan i Halmstad, Akademin för informationsteknologi, Halmstad Embedded and Intelligent Systems Research (EIS).ORCID-id: 0000-0002-2348-1244
Division of Solid State Physics and the Nanometer Structure Consortium (NmC at LU), Lund University, P.O. Box 118, 221 00 Lund, Sweden.
Institute for Solid State Physics, Jena University, Max-Wien-Platz 1, 07743 Jena, Germany.
Visa övriga samt affilieringar
2012 (Engelska)Ingår i: Journal of Nanotechnology, ISSN 1687-9503, E-ISSN 1687-9511, Vol. 2012, artikel-id 480813Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

Nanowires with magnetic doping centers are an exciting candidate for the study of spin physics and proof-of-principle spintronics devices. The required heavy doping can be expected to have a significant impact on the nanowires' electron transport properties. Here, we use thermopower and conductance measurements for transport characterization of Ga 0.95Mn 0.05As nanowires over a broad temperature range. We determine the carrier type (holes) and concentration and find a sharp increase of the thermopower below temperatures of 120 K that can be qualitatively described by a hopping conduction model. However, the unusually large thermopower suggests that additional mechanisms must be considered as well. © 2012 Phillip M. Wu et al.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
New York: Hindawi Publishing Corporation, 2012. Vol. 2012, artikel-id 480813
Nyckelord [en]
Thermoelectric, Hopping conduction model, Nanowires, GaMnAs
Nationell ämneskategori
Den kondenserade materiens fysik
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:hh:diva-19650DOI: 10.1155/2012/480813Scopus ID: 2-s2.0-84867365396OAI: oai:DiVA.org:hh-19650DiVA, id: diva2:553003
Forskningsfinansiär
VetenskapsrådetKnut och Alice Wallenbergs StiftelseThe nanometer Structure Consortium at Lund UniversityTillgänglig från: 2012-09-18 Skapad: 2012-09-17 Senast uppdaterad: 2018-04-03Bibliografiskt granskad

Open Access i DiVA

fulltext(1767 kB)405 nedladdningar
Filinformation
Filnamn FULLTEXT01.pdfFilstorlek 1767 kBChecksumma SHA-512
09aa8cb53d8d81bec115287f4e309bf06abacc29fac2b63913d7aa1815ddca1db67124cb1742b58c8e89a4e61e812d47bba187e454b48cc16fbbf1385fc6e3a2
Typ fulltextMimetyp application/pdf

Övriga länkar

Förlagets fulltextScopus

Personposter BETA

Paschoal Jr., WaldomiroPettersson, Håkan

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Paschoal Jr., WaldomiroPettersson, Håkan
Av organisationen
Halmstad Embedded and Intelligent Systems Research (EIS)
I samma tidskrift
Journal of Nanotechnology
Den kondenserade materiens fysik

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar
Totalt: 405 nedladdningar
Antalet nedladdningar är summan av nedladdningar för alla fulltexter. Det kan inkludera t.ex tidigare versioner som nu inte längre är tillgängliga.

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 216 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf