hh.sePublikasjoner
Endre søk
RefereraExporteraLink to record
Permanent link

Direct link
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annet format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annet språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Electrical and optical characterization of InP nanowire-based photodetectors
Högskolan i Halmstad, Sektionen för Informationsvetenskap, Data– och Elektroteknik (IDE).
2014 (engelsk)Independent thesis Basic level (degree of Bachelor), 10 poäng / 15 hpOppgave
Abstract [en]

This thesis deals with electrical and optical characterization 

of p+i–n+ nanowire-based photodetectors/solar 

cells. I have investigated their I-V performance

and found that all of them exhibit a clear rectifying

behavior with an ideality factor around 2.2 at 300K. 

used Fourier transform infrared spectroscopy to extract their

optical properties. From the spectrally resolved photocurrent

data, I conclude that the main photocurrent is generated in the

i-segment of the nanowire (NW) p-i-n junctions, with negligible 

contribution from the substrate.

 

I also used a C-V technique to investigate the

impurity/doping profiles of the NW p+-i-n+ junction. 

The technique has been widely used for investigations

of doping profiles in planar p-n junctions, in particular

with one terminal (n or p) highly doped. To verify the

accuracy of the technique, I also used a planar Schottky 

sample with an already known doping profile for a test 

experiment. The result is very similar to the actual data.

When we used the technique to investigate the doping

level in the NWs photodetectors grown on InP substrates,

the results show a very high capacitance above 800pF

which most likely is due to the influence of the parasitic

capacitance from the insulating layer of SiO2. Thus,

 a new sample design is required to investigate the

 doping profiles of NWs. 

sted, utgiver, år, opplag, sider
2014. , s. 41
Emneord [en]
IR photodetectors, electrical characteristics, optical characteristics, nanophotonics, InP, nanowires.
HSV kategori
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:hh:diva-25733OAI: oai:DiVA.org:hh-25733DiVA, id: diva2:726676
Fag / kurs
Electrical Engineering
Veileder
Examiner
Tilgjengelig fra: 2014-06-25 Laget: 2014-06-18 Sist oppdatert: 2014-06-25bibliografisk kontrollert

Open Access i DiVA

fulltext(4421 kB)256 nedlastinger
Filinformasjon
Fil FULLTEXT01.pdfFilstørrelse 4421 kBChecksum SHA-512
7acbc74802c02a2554edbaee5c7071459499bbe57a3e5696c36b16bd79a51f81952c65728862ee5ea0961b69e4004f2f273841b1b44d28e08697590456a2196c
Type fulltextMimetype application/pdf

Av organisasjonen

Søk utenfor DiVA

GoogleGoogle Scholar
Totalt: 256 nedlastinger
Antall nedlastinger er summen av alle nedlastinger av alle fulltekster. Det kan for eksempel være tidligere versjoner som er ikke lenger tilgjengelige

urn-nbn

Altmetric

urn-nbn
Totalt: 157 treff
RefereraExporteraLink to record
Permanent link

Direct link
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annet format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annet språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf